サムスンディスプレイ研究チームは、SID（ Society for Information Display ）公式ジャーナルの”J. Soc. Info. Display”に最近寄稿した論文を通じて4032PPI(pixels per inch)を実装した次世代OLED-on-Silicon( OLEDoS )マイクロディスプレイを開発したと明らかにした。今回の技術は、仮想現実（VR）、混合現実（MR）、拡張現実（AR）など次世代XRデバイスに最適化されたパネルで、高解像度と画質を維持しながらもシステム電力消費とクロストークを画期的に減らしたのが特徴だ。

1.3インチサイズのこのパネルは4032PPIの超高解像度を実現し、肉眼ではピクセル区分が不可能なほど精密なイメージを実現する。これにより、VR・ARガラスのScreen Door Effectを最小化し、没入感のあるコンテンツ体験を可能にする。 2024年に発売されたApple Vision Proのディスプレイは、1.42インチ、3391PPIの高解像度ディスプレイが適用された。

この論文では、高解像度実装のために7T1C （ 7個のトランジスタと1個のキャパシター）構造のピクセル補償回路構造が紹介され、これは前世代の6T2C構造の欠点を補完し、電圧偏差に強い設計を実現したと詳細な技術 説明した。

従来の6T2Cピクセル構造は、高解像度実装で小型トランジスタ間のしきい値電圧(Vth)偏差とイメージ歪み問題を 引き起こしてきた。そのため、サムスンディスプレイが新たに考案した7T1C構造は、次のような主な利点を提供する。

• Vth補償精度向上：しきい値電圧偏差による輝度ムラを±2.75%に抑える（既存±10.6%）
• 水平クロストーク減少：2.0％→1.3％
• 単一キャパシターベースの面積効率の最適化
• SRU( short range uniformity ) 向上: 97.3% 確保 (既存 90.4%)

また、データ駆動方式においても改善がなされた。従来の6T2C回路は、フレーム毎にデータラインを充放電しなければならず、消費電力が大きかったが、7T1Cは単一充電方式で消費電力を大幅に低減した。たとえば、同じフルグレー(full gray)パターンでソースICの消費電力は120mWから0.1mWに減少しました。

また、8V CMOSベース設計により動作電圧を下げながらも、従来比約50%以上の電力効率を確保した。

サムスンディスプレイは昨年、RGB OLEDoSとホワイトベースのOLEDoSを同時に開発するデュアルトラック戦略を公式化したところ、今回の4032PPIパネルはその技術力の欠実と評価される。今回の開発製品の量産時期は発表されていないが、当該技術は次世代XRデバイス市場の発展を加速する重要な契機になると期待される。

論文情報： J Soc Inf Display , 1–9 (2025) 。 https://doi.org/10.1002/jsid.2067

                     SID 2025 Digest 1424(P-8)

[4032-PPI 1.3-i nch OLEDoSの参考画像と仕様]

Changho Noh, Analyst at UBI Research  (chnoh@ubiresearch.com)

 UBIリサーチのマイクロディスプレイレポート